Цоколевка транзистора IRF540NS
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF540NS



  • Корпус - D2-PAK
  • Напряжение пробоя сток-исток 100 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 44.0 мОм
  • Ток стока 33 А
  • Заряд затвора 47.3 нКл
  • Термосопротивление 1.1 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 3.8 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара